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簡要描述：CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）表面光電壓是固體表面的光生伏應(yīng)，是光致電子躍遷的結(jié)果。半導(dǎo)體材料的光生電壓性能的測試分析、可開展光催化等方面的機理研究，應(yīng)用于太陽能電池、光解水制氫等方面的研究，可用于研究光生電荷的性質(zhì)，如：光生電荷擴散方向；解析光生電荷屬性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-08-21訪 問 量：4040產(chǎn)品分類
Product Category詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）
CEL-SPIP表面光電壓升級QE/IPCE模塊
CEL-SPEC表面光電壓升級光電化學(xué)QE/IPCE模塊
CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）
優(yōu)勢特點
表面光電壓是固體表面的光生伏應(yīng)，是光致電子躍遷的結(jié)果。
1876年，W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;
1948年才將這一光生伏應(yīng)作為光譜檢測技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上，這種光譜技術(shù)稱為表面電壓技術(shù)（Surface Photovoltaic Technique，簡稱SPV）或表面光電壓譜（Surface Photovoltaic Spectroscopy，簡稱SPS）。表面光電壓技術(shù)是一種研究半導(dǎo)體特征參數(shù)的途徑，這種方法是通過對材料光致表面電壓的改變進行分析來獲得相關(guān)信息的。
1970年，表面光伏研究獲得重大突破，美國麻省理工學(xué)院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時，歷史性的*次獲得入射光波長與表面光電壓的譜圖，以此來確定表面態(tài)的能級，從而形成了表面光電壓這一新的研究測試手段。
SPV技術(shù)是較靈敏的固體表面性質(zhì)研究的方法之一，其特點是操作簡單、再現(xiàn)性好、不污染樣品，不破壞樣品形貌，因而被廣泛應(yīng)用于解析光電材料光生電荷行為的研究中。
SPV技術(shù)所檢測的信息主要是樣品表層（一般為幾十納米）的性質(zhì)，因此不受基底或本體的影響，這對光敏表面的性質(zhì)及界面電子轉(zhuǎn)移過程的研究顯然很重要。由于表面電壓技術(shù)的原理是基于檢測由入射光誘導(dǎo)的表面電荷的變化，其檢測靈敏度很高，而借助場誘導(dǎo)表面光電壓譜技術(shù)可以用來測定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型（特別是有機半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型）、半導(dǎo)體表面參數(shù)，研究納米晶體材料的光電特性，了解半導(dǎo)體光激發(fā)電荷分離和電荷轉(zhuǎn)移過程，實現(xiàn)半導(dǎo)體的譜帶解釋，并為研究符合體系的光敏過程和光致界面電荷轉(zhuǎn)移過程提供可行性方法。
由于SPV技術(shù)的諸多優(yōu)點，SPV技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是今年來隨著激光光源的應(yīng)用、微弱信號檢測水平的提高和計算機技術(shù)的進展，SPV技術(shù)應(yīng)用的范圍得到了很大的擴展。
產(chǎn)品應(yīng)用
半導(dǎo)體材料的光生電壓性能的測試分析、可開展光催化等方面的機理研究，應(yīng)用于太陽能電池、光解水制氫等方面的研究，可用于研究光生電荷的性質(zhì)，如：光生電荷擴散方向；解析光生電荷屬性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。
表面光電壓譜的應(yīng)用技術(shù)參數(shù)
儀器名稱 | 儀器功能 | 性能指標(biāo) | 使用研究方向 |
表面光電壓譜 | 1.表面光電壓譜 | 檢測光伏>100nV | 功能材料的光電性質(zhì)，可開展光催化等方面的機理研究。 |
2.表面光電流譜 | 檢測光電流> 100 pA | 研究功能材料光電流性質(zhì)，可應(yīng)用于太陽能電池、光解水制氫等方面的研究。 | |
3. 光伏相位譜 | 相檢測范圍：-180°至+180° | 可用于研究光生電荷的性質(zhì)，如：光生電荷擴散方向；解析光生電荷屬性等。 |
Scheme of thesurface photovoltage (SPV) setup applied for the measurements on multilayered sample of CdTe and CdSe NCs. Excitons are created upon light excitation, which diffuse through the structure and may reach andbecome separated at the type II CdTe/CdSe interface. The random diffusionof separated charges creates an electric field measured as the SPV signal U by two transparent outer FTO electrodes in a capacitor arrangement.
規(guī)格參數(shù)
表面光電壓譜的配置清單
1）光電壓測量：可檢測光伏>100nV；光譜波長范圍：300-1000nm，光譜分辨率2nm；
2）光電流測量：可檢測光電流>100 pA；光譜波長范圍：300-1000nm，光譜分辨率2nm；
3）光伏相位譜：相檢測范圍：-180°至+180°；光譜波長范圍：300-1000nm；
（1）氙燈光源
參數(shù)：
技術(shù)參數(shù)：
1.燈泡電功率：500W氙燈；2.電流調(diào)節(jié)范圍：15A-25A；3.點光輸出直徑：4-6mm；4.平行光輸出直徑：50mm；5.發(fā)射光譜范圍：200nm-2500nm；6.平行光輸出直徑：50-60mm；7.變焦功能：有；（可改變光輸出圓斑大小）
基本配置：1.穩(wěn)流電源；2.燈箱及光學(xué)匯聚系統(tǒng)；3.預(yù)裝國產(chǎn)500W氙燈一只；4.使用說明書；
（2）單色儀
技術(shù)參數(shù)：
1.波長范圍：190-2000nmnm；2.焦距：300mm；3.相對孔徑: f/3.9；4.光學(xué)結(jié)構(gòu):C-T；5.分辨率（nm）：0.1；6.倒線色散(nm/mm): 2.7；
（3）斬波器（賽恩科儀）：
1.20Hz—10kHz斬波頻率；2.多葉片選擇（標(biāo)配10槽），高精度鎖相環(huán)；3.LCD顯示，單編碼器控制；4.USB遠控控制接口；5.帶有外部觸發(fā)控制方式；6.TTL/CMOS 電平輸入和輸出。
（4）鎖相放大器（斯坦福）
技術(shù)參數(shù)：
1.mHz-102.4kHz頻率范圍；2.大于100dB動態(tài)存儲；3.5ppm/oC的穩(wěn)定性；4.0.01度相位分辨率；5.時間常數(shù)10us-30ks；6.同步參考源信號；7.GPIB及RS232接口；8.9轉(zhuǎn)25串口線；
9.USB轉(zhuǎn)232串口線
（5）控制軟件
數(shù)據(jù)記載，數(shù)據(jù)保存，應(yīng)用于表面光電壓譜的數(shù)據(jù)反饋
主要配件：
1.光學(xué)導(dǎo)軌及滑塊；2.光電壓及光電流池；3.外電場調(diào)系統(tǒng)；4.電流-電壓轉(zhuǎn)換器；5.計算機；
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